美國BAE係統公司開發新一代微電子技術

作者: 伊人影院科技集團 / 時間: 2019-05-20 14:18:16
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中國航空報訊:近日,BAE係統公司美國空軍研究實驗室(AFRL)簽署了一項合作協議,用於將美國空軍開發的氮化镓(GaN)半導體技術轉換為高級微波產品(AMP)中心的技術工作,為此BAE係統公司將進一步增強該技術,並將其擴展到6英寸(15.24cm)晶圓,以降低芯片成本並提高防禦關鍵技術的可訪問性。GaN技術能在較小的麵積內提供寬頻帶寬和高發射功率,使其成為下一代雷達、電子戰和通信係統的理想方案。

根據協議,BAE將與AFRL合作,建立一個140納米的GaN單片微波集成電路(MMIC)技術,該技術將於2020年開始生產,並通過開放式服務向國防部供應商提供產品。這項工作將利用AFRL的高性能技術和BAE係統的6英寸晶圓製造能力,推動GaNMMIC性能,為這一關鍵技術提供更廣泛的應用途徑。該項目的工作主要在位於新罕布什爾州納舒厄的約6503平方米的微電子中心進行。

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