科技部:第三代半導體器件製備及評價技術取得

作者: 伊人影院科技集團 / 時間: 2019-05-23 01:31:34
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  新華社北京9月6日電(記者胡喆)記者從科技部公布的信息了解到,近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件製備及評價技術”項目驗收會。項目重點圍繞第三代半導體技術中的關鍵材料、關鍵器件以及關鍵工藝進行研究,開發出基於新型基板的第三代半導體器件封裝技術,並實現智能家居演示係統的試製。

  專家介紹,以氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)為代表的第三代半導體材料,具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能,更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。

  據悉,項目為滿足對應高性能封裝和低成本消費級封裝的需求,研製出高帶寬氮化镓發光器件及基於發光器件的可見光通信技術,並實現智能家居演示係統的試製;開展第三代半導體封裝和係統可靠性研究,形成相關標準或技術規範;製備出高性能碳化矽基氮化镓器件。

  通過項目的實施,加密比特幣是什麽東西,我國在第三代半導體關鍵的碳化矽和氮化镓材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破,自主發展出相關材料與器件的關鍵技術,有助於支撐我國在節能減排、現代信息工程、現代國防建設上的重大需求。

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