新一代存儲介質製造,從四萬年前說起

作者: 伊人影院科技集團 / 時間: 2019-06-17 11:33:32
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新一代存儲介質製造,從四萬年前說起

新一代存儲介質製造,從四萬年前說起

華中科技大學武漢國際微電子學院執行院長 鄒雪城院長一直從事電子信息工程與微電子技術的研究工作,在顯示技術領域如a-Si/poly-Si TFT LCD工藝、器件及外圍控製驅動電路和工業化技術等方麵有較大成就。先後主持國家自然科學基金、國家"863"計劃項目、國防研究基金、國家攻關、國防電子預先研究重點項目等共30餘項科學研究與開發項目。在國內外重要學術期刊和學術會議上發表論文近300篇,申請並獲批中國專利60餘項,獲得部級科研成果獎2項。作為論壇主席,鄒院長將會引領大家感受一場別樣的知識分享會,拭目以待。

新一代存儲介質製造,從四萬年前說起

上海微係統與信息技術研究所納米技術研究室主任 宋誌棠宋誌棠是上海微係統所納電子材料與器件學科帶頭人,國內PCRAM材料與器件研究的開創者,國家集成電路重大專項PCRAM項目和973項目首席科學家與項目負責人。主要研究方向為相變存儲材料與器件、納米拋光液等,主張與產業結合開展相變存儲器(PCRAM)研發,並與中芯國際和Microchip聯合建立了12英寸PCRAM專用技術平台,開發出了我國第一款PCRAM芯片,在中國首次將PCRAM芯片推向量產。本次大會宋主任將為你帶來相變存儲介質的發展與最新研究發現。

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複旦大學微電子學院副院長 張衛教授自1997年以來在集成電路先導工藝技術、半導體器件和半導體材料等方麵開展係統研究,並取得如先進銅互連技術、新型阻變存儲器和半浮柵器件等創新性成果。今年集芯片成為當下科技領域最熱詞語沒有之一,被認為是國際競爭中的決勝領域。張教授曾指出核心器件將引領集成電路的創新發展。其主要研究的半浮柵晶體管是一種新型微電子基礎器件,結合了隧穿場效應晶體管(TEET)和浮柵晶體管構建,致力於解決我國集成電路主流技術方向選擇和可靠技術來源問題。現在大家對了解半浮柵晶體管的應用是不是有點小期待呢?

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2015年,中電海康馳拓科技有限公司總經理劉波博士帶領中電海康磁旋存儲事業部正式注冊成立為“浙江海康馳拓科技有限公司”,成為中電海康集團有限公司旗下獨立子公司。去年11月,由海康馳拓主導,總投入達13.5億元的中電海康磁旋存儲芯片研發及中試基地項目(新型存儲芯片—STT-MRAM)正式落戶青山湖科技城。海康馳拓專注新型高速非易失存儲技術MRAM的研發,在劉博士的演講中,就當前的DRAM技術VS創新型MRAM技術,將會碰撞出怎樣的火花呢?

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教育部長江學者特聘教授、華中科技大學武漢國際微電子學院副院長繆向水教授,主要研究領域為相變存儲器、憶阻器、磁存儲器、光存儲等信息存儲材料與器件。當前,我國每年進口額高達2600億美元,其中四分之一為存儲器,95%的存儲器芯片依靠進口,因此實現自主研發的新一代存儲芯片勢在必行。而繆教授帶領團隊專注基於相變存儲器的3D XPOINT技術。相變存儲器號稱最有希望取代閃存的候選技術之一,利用硫係化合物晶體和非晶之間的快速切換進行信息擦寫,在晶體管摩爾定律即將結束時,形變存儲技術有望延續甚至突破摩爾定律,實現支持服務於新一代3D XPoint技術。此次他的演講主題為《相變存儲器及3D XPoint相關技術》。

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國家千人計劃專家、四川凱路威電子有限公司董事長兼CEO 彭澤忠, 演講主題為《氧化層反熔絲存儲器(XPM-Super Permanent Memory)技術及應用》。氧化層反熔絲存儲器是通過將數據存取單元構建在超薄絕緣體介質(例如柵氧化層)的周圍。然後在超薄絕緣介質上施加應力而使其擊穿(軟擊穿或硬擊穿),調整存儲單元的漏電流水平,從而實現存儲信息。彭總是XLPMTM技術和X-RFID技術的發明人,2001年創建四川凱路威電子有限公司,專注於新型RFID芯片的設計與開發,目前已研發出高頻(HF)、超高頻(UHF)兩大係列多款芯片產品,並實現商用量產。

新一代存儲介質製造,從四萬年前說起

EEPROM(帶電可擦可編程隻讀存儲器),可在電腦或專用設備上擦除已有數據,再重新編程寫入數據。相比EPROM,EEPROM無需紫外線照射,用特定的電壓,就可以擦除數據,並寫入新的數據,比特幣的幾個兒子,相比閃存產品在擦寫次數上有更大優勢,再加上更小的尺寸和較低的擦寫電流,在智能手機市場炙手可熱。而聚辰目前擁有全係列的EEPROM產品,在其技術與應用方麵,

聚辰半導體資深市場部總監 李強在本次演講中將為伊人影院帶來更多精彩內容。

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